Chapter 00 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor?
1. MOSFET의 동작 원리
2. Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor (MOSCAP
3. Metal?2Oxide?iSemiconductor Field?Effect Transistor (MOSFET
Chapter 01 Band Structure and Carrier Dynamics
1. Band Structure
1-1. Energy bands
1-2. Simple energy band diagram of semiconductors
1-3. Energy vs. wave vector (E-k diagram of semiconductors
2. Carrier Dynamics
2-1. Carrier drift
2-2. Carrier mobility & conductivity
2-3. Velocity saturation
2-4. Carrier diffusion
2-5. Total current
Chapter 02 Gate Stack Technology
1. Gate stack 기술 발전
2. Gate stack 기술이 직면한 한계 및 해결 방안
2-1. Gate stack 기술이 직면한 한계 (Gate leakage current
2-2. Quantum mechanical tunneling
2-3. 새로운 oxide 물질을 이용한 gate stack technology
2-4. 새로운 metal 물질을 이용한 gate stack technology
2-5. High-k/Metal Gate (HK/MG 공정 기술
Chapter 03 Summary on sub?100?0nm Semiconductor Device Technology
1. 90nm 반도체 기술
1-1. 90nm 구현을 위한 문제점
1-2 사용된 기술
2. 65nm 반도체 기술
2-1. 65nm 구현을 위한 이전
