역자 서문
머리말
CHAPTER 1 반도체란 무엇인가
1.1 반도체의 성장은 불완전한 도체로부터
1.2 탄소도 반도체
1.3 전기저항의 범위 변화-반도체의 가장 큰 특징
1.4 온도상승으로 저항률이 급격히 낮아지는 특성
1.5 불순물에 민감하게 반응하는 반도체특성
1.6 양자론이 해명한 반도체의 전기적 특성
1.7 대역이론으로 이해하는 반도체의 열특성
1.8 순수반도체와 불순물 반도체
1.9 전기를 운반하는 캐리어(전자와 정공
1.10 불순물 반도체와 가전자제어
1.11 n형 반도체와 p형 반도체
1.12 n형 반도체와 전하전송
1.13 p형 반도체와 전하전송
1.14 n형, p형의 탄생지 벨 전화연구소
1.15 어떻게 실리콘이 반도체재료로 선택되었는가
1.16 pn접합에서 캐리어의 움직임
1.17 pn접합의 평형상태와 에너지대역도
1.18 pn접합에 전압을 인가하면
1.19 역방향 바이어스와 항복현상
1.20 발광 반도체와 비발광 반도체의 차이
1.21 반도체의 발광 파장은 어떻게 결정되는가
1.22 반도체의 묘미는 혼합에 있다
1.23 이종접합과 2차원 전자가스
1.24 전자를 갇히게 하는 양자우물
CHAPTER 2 반도체 소자의 탄생
2.1 반도체 디바이스란 무엇인가
2.2 전자공학의 시작과 전자 디바이스의 창조
2.3 진공관에서 반도체 시대로
2.4 트랜지스터의 발명
2.5 접합형 트랜지스터의 동작원리
2.6 트랜지스터의 증폭작용
2.7 전계효과 트랜지스터 (FET
2.8 MOS 트랜지스터 (MOSFET
2.9 MOS 트랜지스터의 동작특성
2.10 화합물 반도체 트랜지스터(MESFET의 활약
2.11 고전자이동도 트랜지스터 (HEMT
2.12 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT
2.13 수요가 증가하고 있는 전력 반도체
2.14 전력 반도체의 주요사항 : 내압과 온-저항
2.15 대전류를 정류·제
